GEP-S 系列高纯锗探测器

GEP-S 系列高纯锗探测器

完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家计量部门检定， 其关键性能指标优异、稳定性良好。

采用的晶体外形为一圆柱体，在其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极，两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制造。威视®系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。

工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 10¹⁰ 原子/cm³ 量级，是纯净的物质。高纯锗探测器表面分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比的电压信号。

探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳定性好，除适配威视®系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。

威视®系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形"、“U 形"、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。

P 型探测器的总体特性：

能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%；

可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求；

全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标；

可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。

GEP-S 系列高纯锗探测器 型号与性能指标：

GEP-S40 的点源探测效率曲线（根据 GB/T 7167-2008 国家标准测试）